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- 2023-08-30 发布于四川
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本申请涉及多光谱图像传感器和多光谱传感器。多光谱图像传感器包括半导体层和形成在半导体层内部和顶部的多个像素。每个像素包括形成在由外围绝缘壁横向限定的半导体层的部分中的有源光敏区域。像素包括第一类型的第一像素和第二类型的第二像素。第一像素的半导体层的部分具有第一横向尺寸，第一横向尺寸被选择为限定以第一波长谐振的横向腔，并且第二像素的半导体层的部分具有不同于第一横向尺寸的第二横向尺寸，第二横向尺寸被选择为限定在不同于第一波长的第二波长谐振的横向腔。由此提供性能改进的多光谱传感器。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 210272365 U
(45)授权公告日
2020.04.07
(21)申请号 20192
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