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本发明涉及金属硼化物技术领域，具体公开了一种W‑B系粉体材料及制备方法。本发明的W‑B系粉体材料的制备方法，由W粉、B粉按照配比进行配料，球磨加入桥接剂聚乙二醇进行混料，混合均匀后，预烧结去除聚乙二醇，再在低温1000～1200℃的温度下进行烧结，制备得到纯相W‑B系粉体材料。本发明利用聚乙二醇对W粉和B粉的桥接作用，以及球磨的机械力实现了W粉和B粉的机械互锁，大大缩短了固相合成反应过程中W、B原子之间的扩散距离，能够在1200℃以下的低温条件下短时烧结合成纯相W‑B化合物，工艺简单，且制造成本
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116654948 A
(43)申请公布日 2023.08.29
(21)申请号 202310669168.0
(22)申请日 2023.06.07
(71)申请人 四川大学
地址 610041
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