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本发明涉及半导体激光器技术领域，尤其涉及一种二阶光栅面发射半导体激光器及其制备方法，激光器包括从下至上依次层叠的衬底层、缓冲层、N型包层、N型波导层、有源层、P型波导层、P型包层和盖层，在衬底层的底面制备有N型电极，N型电极未覆盖衬底层的区域为出光口，在衬底层的底面对应于出光口的位置蒸镀高增透膜；对应于出光口的位置从盖层向下刻蚀至部分P型波导层形成脊波导，在脊波导上制备P型电极，在脊波导的解理面蒸镀高反射膜，对暴露的P型波导层部分进行刻蚀形成二阶直线型光栅，采用量子阱内混工艺对二阶直线型光栅进行
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116667142 A
(43)申请公布日 2023.08.29
(21)申请号 202310596158.9
(22)申请日 2023.05.25
(71)申请人 中国科学院长春光
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