氧化锌、二硼化镁薄膜的制备及其光电探测研究的中期报告.docxVIP

氧化锌、二硼化镁薄膜的制备及其光电探测研究的中期报告 本次中期报告主要介绍了氧化锌和二硼化镁的制备过程以及对其光电探测性能的研究进展。 1. 氧化锌的制备 采用化学气相沉积法在石英衬底上生长氧化锌薄膜。反应采用金属有机前驱体（Zn（CH3）2）和氧化剂（O2）的化学反应进行。实验条件为沉积温度为400℃，反应时间为1小时。通过扫描电子显微镜（SEM）观察发现，沉积的氧化锌薄膜呈现出均匀的球形微结构，大小约为100-200纳米。X射线衍射（XRD）分析显示氧化锌晶格呈现出六方晶系的衍射峰。 2. 二硼化镁的制备 采用溅射法在石英衬底上生长二硼化镁薄膜。反应采用磁控溅射技术，在氩气雾化下，通过碳棒的加热挥发出MgB2靶材，从而进行薄膜的沉积。实验条件为溅射压强为4 mTorr，溅射功率为50 W，沉积时间为2小时。通过AFM观察发现，沉积的二硼化镁薄膜呈现出平整的表面，均匀分布着许多微小的晶粒。XRD分析显示沉积的二硼化镁薄膜具有相对应的（101）衍射峰。 3. 光电探测性能研究 对两种薄膜的光电探测性能进行了研究。发现氧化锌薄膜在紫外光照射下具有很好的光电响应，在370 nm处的光电响应峰值为2.47 mA，并呈现出随着紫外光照射时间的增加而逐渐增强的趋势。二硼化镁薄膜在可见光照射下表现出了良好的光电性能，在450 nm处的光电响应峰值为1.86 mA，并且随着光照时间的增加而稳定增