CMOS工艺流程与MOS电路版图举例(ppt 155页).pptVIP

2021/11/8 星期一; 1) 简化(jiǎnhuà)N阱CMOS工艺演示;氧化(yǎnghuà)层生长;曝光(bào guāng);氧化(yǎnghuà)层的刻蚀;N阱注入(zhù rù);构成(gòuchéng)N阱;氮化硅的刻蚀;场氧的生长(shēngzhǎng);去除(qù chú)氮化硅;重重(chóngchóng)生长二氧化硅〔栅氧〕;生长(shēngzhǎng)多晶硅;刻蚀多晶硅;刻蚀多晶硅;P+离子注入;N+离子注入;生长(shēngzhǎng)磷硅玻璃PSG;光刻接触(jiēchù)孔;刻铝;刻铝;光刻8，刻压焊孔掩膜版;2) 清华(qīnɡ huá)工艺录像;初始(chū shǐ)氧化;光刻1，刻N阱;N阱构成(gòuchéng);Si3N4淀积;光刻2，刻有源区，场区硼离子注入;场氧1;光刻3;场氧2;栅氧化，开启(kāiqǐ)电压调整;多晶硅淀积;光刻4，刻NMOS管硅栅，磷离子注入构成(gòuchéng)NMOS管;光刻5，刻PMOS管硅栅，硼离子注入及推进(tuījìn)，构成PMOS管;磷硅玻璃淀积;光刻6，刻孔、磷硅玻璃淀积回流(huí liú)〔图中有误，没刻出孔);蒸铝、光刻7，刻铝、光刻8，刻钝化孔〔图中展现(zhǎnxiàn)的是刻铝后的图形〕;离子注入的运用(yùnyòng);39;N阱硅栅CMOS工艺流程(ɡōnɡ yì l