存储器是信息存放的载体.pptVIP

锁存在列地址锁存器中的7位列地址CA6～CA0（地址总线上的A14～A8），在每个存储矩阵中选中一列，则共有4个存储单元被选中。最后经过1：4 I/O门电路（由RA7与CA7控制）选中一个单元，可以对这个单元进行读写。 数据的输入和输出是分开的，由 信号控制读写。当 为高时，实现读出，选中单元的内容经过输出缓冲器（三态缓冲器）在DOUT引脚上读出。当 有效（低电平）时，实现写入，DIN引脚上的信号经过输入缓冲器（三态缓冲器）对选中单元进行写入。 第二十九页，共四十三页，2022年，8月28日 2．读周期 读周期是由行地址选通信号 变低（有效）开始的。为了能使行地址可靠锁存，通常希望行地址能先于 信号有效。同样，为了保证列地址的可靠锁存，列地址领先于 信号。 要从指定单元读出信息，必须在 有效后， 也有效。 信息的读写，取决于控制信号 。为实现读出， 则信号必须在 有效前tRCS时间变为高电平。 第三十页，共四十三页，2022年，8月28日 3．写周期 要选定写入的单元， 和 必须都有效，而且行地址必须领先 有效。列地址必须领先 有效。 由 有效实现写入， 信号必须领先 有效。 要写入的信息，必须在有效前已经送至数据输入线DIN，且在 有效后必须保持时间。 第三十一页，共四十三页，2022年，8月28日 人民邮电出版社 人民邮电出版社 存储器是信息存放的载体 第一页，共四十三页，2022年，8月28日 7.1 半导体存储器的分类 半导体存储器从使用功能上来分，可分为：读写存储器RAM（Random Access Memory）又称为随机存取存储器；只读存储器ROM（Read Only Memory）两类。RAM主要用来存放各种现场的输入、输出数据，中间计算结果，与外存交换的信息和作堆栈用。它的存储单元的内容按需要既可以读出，也可以写入或改写。而ROM的信息在使用时是不能改变的，也即只能读出，不能写入故一般用来存放固定的程序，如微型机的管理、监控程序，汇编程序等，以及存放各种常数、函数表等。 第二页，共四十三页，2022年，8月28日 7.1.1 RAM的种类 在RAM中，又可以分为双极型（Bipolar）和MOS RAM两大类。 1．双极型RAM的特点 （1）存取速度高。 （2）以晶体管的触发器（F-F——Flip-Flop）作为基本存储电路，故管子较多。 （3）集成度较低（与MOS相比）。 （4）功耗大。 （5）成本高。 所以，双极型RAM主要用在速度要求较高的微型机中或作为cache。 第三页，共四十三页，2022年，8月28日 2．MOS RAM 用MOS器件构成的RAM，又可分为静态（Static）RAM（有时用SRAM表示）和动态（Dynamic）RAM（有时用DRAM表示）两种。 （1）静态RAM的特点 ① 6管构成的触发器作为基本存储电路。 ② 集成度高于双极型，但低于动态RAM。 ③ 不需要刷新，故可省去刷新电路。 第四页，共四十三页，2022年，8月28日 ④ 功耗比双极型的低，但比动态RAM高。 ⑤ 易于用电池作为后备电源（RAM的一个重大问题是当电源去掉后，RAM中的信息就会丢失。为了解决这个问题，就要求当交流电源掉电时，能自动地转换到一个用电池供电的低压后备电源，以保持RAM中的信息）。 ⑥ 存取速度较动态RAM快。 第五页，共四十三页，2022年，8月28日 （2）动态RAM的特点 ① 基本存储电路用单管线路组成（靠电容存储电荷）。 ② 集成度高。 ③ 比静态RAM的功耗更低。 ⑤ 价格比静态便宜。 ⑥ 因动态存储器靠电容来存储信息，由于总是存在着泄漏电流，故需要定时刷新。典型的是要求每隔1ms刷新一遍。 第六页，共四十三页，2022年，8月28日 7.1.2 ROM的种类 1．掩模ROM 早期的ROM由半导体厂按照某种固定线路制造的，制造好以后就只能读不能改变。 2．可编程序的只读存储器PROM（Programmable ROM） 为了便于用户根据自己的需要来写ROM，就发展了一种PROM，可由用户对它进行编程，但这种ROM用户只能写一次。 第七页，共四十三页，2022年，8月28日 3．可擦去的可编程只读存储器EPROM（Erasable PROM） 为了适应科研工作的需要，希望ROM能根据需要写，也希望能把已写上去的内容擦去，然后再写，能改写多次。EPROM就是这样的一种存储器。EPROM的写入速度较慢，而且需要一些额外条件，故使用时仍