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- 2023-09-02 发布于四川
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本发明提供了一种低功耗带隙基准电路、芯片及参考电压的生成方法，解决现有带隙基准需要使用运算放大器、电阻及功耗高的问题，包括相连接的：正温度系数模块包括第一、第二晶体管和第一MOS管，第一、第二晶体管的基极‑发射极电压之差在第一MOS管上产生正温度系数电压；钳位模块包括第一、第二钳位MOS管，钳位模块用于提供相等的第一钳位电压与第二钳位电压；负温度系数模块包括第一MOS管和第二MOS管，第一、第二MOS管的阈值电压作为负温度系数电压；电流镜模块将第一晶体管所在支路的电流按比例复制到负温度系数模块所
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116679792 A
(43)申请公布日 2023.09.01
(21)申请号 202310877167.5
(22)申请日 2023.07.18
(71)申请人 无锡盛景微电子股份有限公司
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