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一种GaN激光器和GaN HEMT的集成器件及其制备方法.pdfVIP

一种GaN激光器和GaN HEMT的集成器件及其制备方法.pdf

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    本发明实施例公开一种GaN激光器和GaNHEMT的集成器件及其制备方法。包括基底；形成在基底上的激光器层结构和HEMT层结构，其间设置有隔离槽；覆盖激光器层结构、HEMT层结构和隔离槽的钝化层；形成在钝化层上的平坦化层，激光器层结构包括依次形成的N型GaN接触层、多层InGaN量子阱有源区和P型GaN接触层；HEMT层结构包括依次形成的掺杂的GaN缓冲层、GaN沟道层和AlGaN势垒层；激光器层结构还包括N型GaN接触层形成的台阶，形成在该台阶上的N型电极，形成在P型GaN接触层上的P型电极；

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116683280 A (43)申请公布日 2023.09.01 (21)申请号 202310678490.X (22)申请日 2023.06.08 (71)申请人 北京无线电测量研究所 地址 10

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