PMMA基底CdSe量子点光纤材料的制备及表征的中期报告.docx

PMMA基底CdSe量子点光纤材料的制备及表征的中期报告 本次报告主要针对PMMA基底CdSe量子点光纤材料的制备及表征进行中期汇报。 一、前期工作 在前期工作中，我们进行了材料制备的初步实验，包括CdSe量子点的制备和PMMA基底CdSe量子点光纤材料的制备。其中CdSe量子点的制备采用的是热分解法，并通过紫外可见吸收光谱和荧光光谱进行了表征。 二、本期工作 1. PMMA基底CdSe量子点光纤材料制备 在本期工作中，我们继续进行了PMMA基底CdSe量子点光纤材料的制备。我们采用了双酚A型聚碳酸酯（PC）和甲基丙烯酸甲酯（MMA）为原料，通过单模光纤拉伸法制备了具有CdSe量子点的PMMA基底光纤材料。通过SEM观察，我们发现材料的断面呈现出较为致密和光滑的结构，而且CdSe量子点均匀分布在整个材料中。 2. 材料表征 我们进行了对PMMA基底CdSe量子点光纤材料的表征工作。首先，我们采用荧光光谱仪对材料进行了光谱分析，结果显示样品具有很好的发射特性，能够在380~600 nm范围内发射出强烈的荧光信号。随后，我们使用X射线衍射仪进行了材料的结构表征，发现材料的结晶性较好，表现为清晰的衍射峰。 三、下一步工作 在后续工作中，我们将继续对PMMA基底CdSe量子点光纤材料进行表征，在荧光稳定性、荧光寿命、荧光强度等方面进行深入研究，同时也将尝试将该材料应用到光电传感器等领域中。