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黄昆版固体物理课后习题解答 第7章半导体电子学理论 7.1，InSb电子有效质量我？0.015米，介电常数？？18，晶格常数a？ 6.49A试算；(1)施主电离能；(2)基态轨道的半径；(3)供体散布平均。 当相邻杂质的原始轨道重叠时，施主浓度应当更高些吗？ (1)因为施主电离能ED是氢原子电离能Ei，m0的 m*倍？2？艾德？m*Ei0.014？13.6？4？(电动汽车)？6.59？10(eV) 2m0？(17)4？2？0？m0？17岁？0.52？a。(一)？6.31？102(A)6.31？ 10？8(m)(2)，a0？02m*em*0.014(3)。如果施主电子与类氢基态轨道 重叠，平均散布在InSb中的施主杂质浓度ND必须知足 (2a)3ND？1，？ND？( 131xxxx研究生入学考试3(15分)]解:D=Doe-Q/RT:D0？DeQ/RT D200CeQ/RT1？D760CeQ/RT2。 Q11(？)RT1T2e？D760cD200c？105 Q11(？)？5ln10RT1T25ln10R5？8.31？2.3？ 1111？？T1？？5？8.31？2.3？473？1033 560=83.38kJ/mol. 30 操作: (1)关于铜，形成肖特基空位的能量为1.2ev。当靠近熔点(1300K)时， 估计空位浓度形成填隙原子所需的能量约为4ev，估计靠近