二维ZnO和BN性质的第一性原理计算的中期报告.docx

二维ZnO和BN性质的第一性原理计算的中期报告 尊敬的导师您好， 我正在进行二维氧化锌（ZnO）和氮化硼（BN）的第一性原理计算，现在向您提交中期报告。 在本次计算中，我使用了密度泛函理论（DFT），基于VASP软件包的平面波赝势方法实现了计算。为了准确描述体系电子结构的性质，我使用了GGA（广义梯度近似）近似，以及Perdew-Burke-Ernzerhof（PBE）交换-相关泛函。 在计算过程中，我首先优化了二维ZnO和BN体系的晶格常数，得到了最优的晶体结构和能量。然后，我计算了体系的电子结构、密度、态密度等性质。其中，我主要关注了二维ZnO和BN的电子能带结构、费米面、电荷密度分布、态密度分布等性质。 目前的计算结果显示，二维ZnO和BN的能带结构具有半导体特征，能隙分别为3.12和4.01 eV。而且在这两个系统中，空穴和电子占据的态密度分布都比较均匀。此外，我还计算了体系的有效质量、光吸收系数等性质，结果表明这些系统具有良好的光电性能。 接下来，我将继续计算二维ZnO和BN的光电、磁电、热电等性能特征，并与实验数据进行比较，以进一步验证计算结果的准确性和可靠性。 感谢您的支持和指导。