材料物理性能电.pptVIP

扩散运动被抑制，只存在少数载流子的漂移运动 n型 p型 耗尽层 耗尽层 U 反向偏压使耗尽区加宽 第九十四页，共一百二十五页，2022年，8月28日 扩散 漂移 正向偏压使耗尽区变窄 U n型 p型 耗尽层 耗尽层 第九十五页，共一百二十五页，2022年，8月28日 pn结二极管的整流效应 PN结的特征：正向导通，反向截止。 应用于逻辑运算电路之中。 第九十六页，共一百二十五页，2022年，8月28日 与PN结直接相关的半导体器件 太阳能电池 二极管 发光二极管 光探测器 第九十七页，共一百二十五页，2022年，8月28日 小结 kc 基本概念 本征半导体 掺杂半导体 pn结 第九十八页，共一百二十五页，2022年，8月28日 电介质的定义与基本特征 在电场作用下，能产生极化与电偶极矩，并存在有内电场 的物质。 物质 电介质 半导体 导体 是一类特殊的绝缘体。 电介质 导体 高电场作用 第九十九页，共一百二十五页，2022年，8月28日 介电常数：是指以电极化的方式传递、存贮或 记录电的作用。 电导：是指电介质在电场作用下存在泄露电流。 介电损耗：是电介质在电场作用下存在电能的损耗。 介电强度：是指在强电场下可能导致电介质的破坏。 电介质的四大基本常数 好的电介质要求较容易极化，具有较高的介电常数和介电 强度，较低的电导和介电损耗。 第一百页，共一百二十五页，2022年，8月28日 电阻分析的应用 通过测量金属材料电阻率变化来研究金属组织结构等变化的方法，称为电阻法。 应用： 研究合金的时效 测定固溶体的溶解度 第六十二页，共一百二十五页，2022年，8月28日 合金时效的基本过程是固溶体内溶质原子的偏聚，形成过渡相和析出稳定相。 脱溶过程，电阻显著变化，所以电阻分析是研究合金时效最有效的方法之一。 　　 研究合金的时效 第六十三页，共一百二十五页，2022年，8月28日 测定固溶体的溶解度 选定一系列不同成分的合金，分别在不同温度下淬火，并测量其电阻值，给出不同淬火温度下的电阻率与合金成分的关系。 第六十四页，共一百二十五页，2022年，8月28日 不同温度下电阻率随浓度变化及与 状态图的对应关系 第六十五页，共一百二十五页，2022年，8月28日 半导体的导电性 半导体材料及其能带 导电机制 PN结 第六十六页，共一百二十五页，2022年，8月28日 半导体材料及其能带 导带和价带重叠 绝缘体的禁带一般大于 5 eV 半导体的禁带一般小于 3 eV 第六十七页，共一百二十五页，2022年，8月28日 半导体材料的导电性 定义： 分类： 电阻率为（10-3 ~ 109 Ωcm）或禁带宽度（0.2 ~ 3 eV） 的一类材料。 晶体半导体 非晶半导体 有机半导体 元素半导体 Si，Ge 化合物半导体 GaN，InGaN，GaAs等 第六十八页，共一百二十五页，2022年，8月28日 金刚石、硅和锗的对比 kc 三者均为金刚石结构；禁带宽度分别为 ~5.4 eV、~ 1.2 eV和 ~ 0.7 eV。 在硅和锗中，一些电子在一般温度下就能受到热激发，越过禁带占据一些导电的能级。而当施加电场作用时，占据导带的电子就能引起电导。为半导体。 只有在0 K时，硅和锗才变得和金刚石一样，为绝缘体。 第六十九页，共一百二十五页，2022年，8月28日 硅和锗是两类十分重要的元素半导体 元素半导体 第七十页，共一百二十五页，2022年，8月28日 锗 锗是一种稀散元素，在地壳中分布很分散，没有集中的矿藏。 煤中含有微量的锗，煤燃烧后锗以 GeO2 富集在烟道灰里，但含量也不高。 将 GeO2 收集、氯化、还原、提纯后可以得到金属锗。工艺流程长，不利于大批量生产。所以应用极为有限。 第七十一页，共一百二十五页，2022年，8月28日 硅 硅资源十分丰富，仅次于氧列第二位 硅的制备原料主要是石英砂。 第七十二页，共一百二十五页，2022年，8月28日 具有良好的热导率和高温力学性能、优异的半导体性质，可以稳定地制备大直径无位错的单晶。世界上几乎所有的集成电路都是单晶硅制成的，而且集成电路用硅占单晶硅整个用量的 80 % 以上。此外，绝大多数的电力电子器件 (可控硅、整流器等)、功率晶体管都是单晶硅制成的。 硅是一种天然的电子元器件材料 第七十三页，共一百二十五页，2022年，8月28日 化合物半导体 化合物半导体一般是由围绕周期表中IV族对称位置的元素组成的。 GaAs 第七十四页，共一百二十五页，2022年，8月28日 砷化镓具有闪锌矿结构。也就是和硅、锗具有相似的结构。 优点：工作温度较高，承受的电压较大，可以在更高的频率下工作，