IGBT的芯片结构及失效模式.ppt

IGBT内部结构及常见失效模式;主要内容;一、IGBT的结构;2.IGBT芯片结构的变迁;;;IGBT模块的封装工序流程： 芯片和DBC焊接邦线→DCB和铜底板焊接→安装外壳→灌注硅胶→密封→终测;典型三电平主回路拓扑结构;9;10;1.图示8处插入铜排，引出的为1管 的集电极（C级） 2.图示5处接1管的集电极 3.图示4处接1管的门极（G级） 4.图示3处接1管的发射极（E级） 同时为2管的集电极（C极） 同时为钳位二极管的负端 5.图示9处接钳位二极管的正端 6.图示1处接2管的门极（G级） 7.图示2处接2管的发射极（E级） 8.图示10处接2管的发射极（E级） 9.图示6、7两端接热敏电阻的两端;12;13;接线图横;七单元系列;六单元系列;两单元系列;18;19;二、IGBT常见的失效模式; 当IGBT关断过高的脉冲集电极电流ICM时同样可能产生较高的集电极电压VCE而产生电压击穿失效。多数器件制造商推荐的IGBT工作电压VCE的上限值为80％额定电压。 IGBT的栅极和MOSFET一样多属于MOS（金属-氧化物-半导体）结构，当栅极引入过电压时可导致栅氧层的缺陷产生或直接击穿而使IGBT失效——栅极过电压失效。另外，当IGBT栅极引入高电压时，集电极电流会跟随变大，关断这个电流而产生的集电极过电压（VCE）有可能使集电极产生击穿——栅极过电压引起的集电极过电压失效。 ;2.常见的失效原因 ①过电压： VCE过电压 *关断浪涌电压 *母线电压上升 *控制信号异常 *外部浪涌电压（雷电浪涌等） VGE过电压 * 静电 * 栅极驱动回路异常 * 栅极振荡 * 与高压相连 *外部浪涌 ;②过流、热失效： 散热设计不完善 短路 过电流 栅极电压欠压 极配线开路 开关频率异常增加 开关时间过长 散热不良;3.一些失效案例;3.一些失效案例; 综述：IGBT芯片铝线和芯片表面键合位置为绑线点，当此位置出现类似现象时，可以判定为过电流损坏。 损坏的原因一般有以下几种： 1、输出短路或输出接地； 2、母线铜牌打火导致浪涌电流； 3、门极控制信号异常（有干扰源或者本身器件损坏）;B、过流失效;28; 综述：IGBT芯片铝线和芯片表面键合位置??绑线点，当此位置出现类似现象时，可以判定为过电流损坏。 损坏的原因一般有以下几种： 1、输出短路或输出接地； 2、母线铜牌打火导致浪涌电流； 3、门极控制信号异常（有干扰源或者本身器件损坏）;C、过热失效;;32;典型过热损坏 ;;D、门极过电压;;;D、功率循环疲劳;;此课件下载可自行编辑修改，此课件供参考！ 部分内容来源于网络，如有侵权请与我联系删除！IGBT内部结构及常见失效模式;主要内容;一、IGBT的结构;2.IGBT芯片结构的变迁;;;IGBT模块的封装工序流程： 芯片和DBC焊接邦线→DCB和铜底板焊接→安装外壳→灌注硅胶→密封→终测;典型三电平主回路拓扑结构;9;10;1.图示8处插入铜排，引出的为1管 的集电极（C级） 2.图示5处接1管的集电极 3.图示4处接1管的门极（G级） 4.图示3处接1管的发射极（E级） 同时为2管的集电极（C极） 同时为钳位二极管的负端 5.图示9处接钳位二极管的正端 6.图示1处接2管的门极（G级） 7.图示2处接2管的发射极（E级） 8.图示10处接2管的发射极（E级） 9.图示6、7两端接热敏电阻的两端;12;13;接线图横;七单元系列;六单元系列;两单元系列;18;19;二、IGBT常见的失效模式; 当IGBT关断过高的脉冲集电极电流ICM时同样可能产生较高的集电极电压VCE而产生电压击穿失效。多数器件制造商推荐的IGBT工作电压VCE的上限值为80％额定电压。 IGBT的栅极和MOSFET一样多属于MOS（金属-氧化物-半导体）结构，当栅极引入过电压时可导致栅氧层的缺陷产生或直接击穿而使IGBT失效——栅极过电压失效。另外，当IGBT栅极引入高电压时，集电极电流会跟随变大，关断这个电流而产生的集电极过电压（VCE）有可能使集电极产生击穿——栅极过电压引起的集电极过电压失效。 ;2.常见的失效原因 ①过电压： VCE过电压 *关断浪涌电压 *母线电压上升 *控制信