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GaN基低维量子体系中的电子输运的中期报告 本文主要介绍了在GaN基低维量子体系中的电子输运的中期报告。 首先，介绍了GaN材料的特点，包括宽带隙、高电子饱和漂移速度和高载流子浓度等。由于这些特点，GaN被广泛应用于高功率电子学器件、光电子学器件和电子传感器等领域。 接着，介绍了GaN基低维量子体系的制备技术，包括分子束外延、金属有机化学气相沉积和氧化物化学气相沉积等方法。通过这些技术，可以制备出具有不同形貌和结构的低维量子体系，例如量子点、纳米线和薄膜等。 然后，介绍了GaN基低维量子体系中的电子输运的研究进展。该领域的研究主要集中在使用电学和光学方法测量低维结构的载流子输运性质，例如电导率、霍尔电阻和光电流等。通过这些实验研究，可以研究低维结构中的电子输运行为，例如载流子的迁移率、散射机制和口袋效应等。 最后，对GaN基低维量子体系中的电子输运的研究进展进行了总结和展望。总结了现有的研究成果，包括低维结构中的载流子输运性质和电子输运机制等。展望了未来的研究方向，例如电子自旋输运、热电效应和量子信息等方面。同时，也指出了当前的研究存在的问题和挑战，例如低维结构的制备精度和可控性、电子输运机制的理解和理论模拟等。