锡须检测与判定标准培训.pdfVIP

LF_ Tin Whisker 目 錄 錫須的定義及危害 錫須的形成機理 錫須的預防措施 錫須測試的方法 錫須測試的標准 案例分析 錫須測試的儀器_SEM簡單介紹 錫須定義及危害 定義：锡须是从元器件和接头的锡镀层表面生长出来的一種細長形狀的錫 單晶，直徑0.3-10um (典型1-3um)，長度在1-1000um不等，錫須有不同 的形狀，如針狀，小丘狀，柱狀，花狀，發散狀等，見圖1 危害：如果这些导电的锡须长得太长的话，可能连到其他线路上，并导致 电气短路，斷裂後落在某些移動及光學器件中引起這些器件的機械損害 ，如處於相鄰導體之間可能產生弧光放電，燒壞電氣元件等由於錫須通 常在電鍍之後幾年甚至幾十年才開始生因而會對產品的可靠性造成潛自 在的危害比較大 圖1 錫須的各種形狀 凝固狀 錫表面電鍍高溫高濕之後 小丘 錫表面電鍍之後 圖2 Non-whisker 錫須形成機理 錫須產生的原因 錫與銅之間相互擴散，形成金屬間化合物 (IMC),致使 錫層內應力 迅速增長，導致錫原子沿著晶體邊界進行擴散，產生錫須 電鍍之後鍍層的殘余應力，導致錫須的生長 機械應力：沖壓，冷卻，加工造成基底初使應力，外在的機械負 載 (固定件的扭轉)和震動沖擊產生應力 化學應力：電鍍化學物質(如有機添加劑，光亮劑)可能增加鍍層 殘余應力 熱應力 ： 鍍層與基體之間熱膨脹系數不匹配 生长机理 n Cu6Sn5擠壓純錫晶 格疆界，純錫的晶 界出現錫須 n FIB cross- sections of whiskers 錫須預防措施 預防措施 不要使用亮錫，最好使用霧錫 霧錫與亮錫的比較： a.有機物或碳含量較亮錫少的多(亮錫約為霧錫的X20-100) b. 微晶顆粒較大1-5um (亮錫0.5-0.8um),大晶粒 (2um)鍍層有利 於降低晶須的生長.因為大晶粒較小晶粒間隙少，為Cu擴散提 供較少的邊界，大晶粒具有零值壓應力或較低壓應力 使用較厚的霧錫鍍層(8-10um),以抑制應力的釋放 電鍍後24小時內退火(150℃/2hrs或170℃/1hrs )，以減少錫層的應力 電鍍後24小時內回流焊接，作用同退火 用Ni或Ag做阻擋層(1.3-2um),防止Cu擴散形成Cu6Sn5的IMC 錫須檢測 錫須分類 種類 產生機理 測試方法 恆溫錫須 基材金屬 （Cu）擴散至 常溫儲存 （AS） ︰ Sn而引起的內應力 20-25℃，55±25%RH 1000小