Si基SOI结构微剂量探测器的设计及SOI材料的离子注入抗辐射改性研究的中期报告.docxVIP

Si基SOI结构微剂量探测器的设计及SOI材料的离子注入抗辐射改性研究的中期报告 本研究旨在设计一种Si基SOI结构微剂量探测器，并通过SOI材料的离子注入抗辐射改性研究来提高其抗辐射性能。 在设计微剂量探测器时，我们采用了SOI结构，其中硅层厚度为500 nm，二氧化硅层厚度为2 μm。探测器的尺寸为5 mm × 5 mm，分为100个小探测器，每个小探测器的尺寸为0.5 mm × 0.5 mm。在每个小探测器中，采用了PN结结构，p+、n+掺杂浓度分别为5 × 1019 cm-3。通过该结构，可以在不同能量范围内检测到微小的粒子，如α、β、γ射线等。 通过离子注入改性的方法，我们改变了SOI材料中的硅晶体结构，提高了其抗辐射性能。我们在样品表面进行了氮离子注入，注入能量为50 keV，注入剂量分别为1 × 1011、1 × 1012、1 × 1013 cm-2。然后，我们对样品进行了辐照实验，以测试其改性后的抗辐射能力。 实验结果表明，经过离子注入后，硅晶体中形成了氮原子和硅原子的化合物Si3N4，这些化合物可以有效地捕获高能粒子并减小其在材料中的能量沉积；同时，离子注入过程中产生的欠陷和接近材料表面的硅氧化层与辐射效应的相互作用可缓解硅材料的辐射损伤。结合理论模拟结果，我们确定了最佳的离子注入参数，即注入能量50 keV，注入剂量1 × 1012 cm-2。经过改性后，样品在高强度辐射下的性能明显增强。 我们将继续深入研究硅基SOI结构微剂量探测器的性能，并进一步探索通过离子注入改性的方法来提高其抗辐射性能。同时，我们还将研究不同材料和结构的探测器，以进一步提高其探测灵敏度和抗辐射能力。