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双栅SGT半导体器件的制造方法.pdfVIP

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  • 2023-09-06 发布于四川
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双栅SGT半导体器件的制造方法.pdf

    本发明公开了一种双栅SGT半导体器件的制造方法，包括：步骤一、在半导体衬底的选定区域中形成一个以上的第一沟槽，在第一沟槽中形成栅介质层和栅极导电材料层。步骤二、在半导体衬底的选定区域中形成一个以上的第二沟槽，第二沟槽位于各第一沟槽的两侧的所述半导体衬底中；在第二沟槽中形成屏蔽介质层和屏蔽栅导电材料层。第二沟槽的光罩通过对超结结构工艺中的超结沟槽的光罩进行变换得到。第二沟槽的深度大于第一沟槽的深度，在反向耐压时，屏蔽栅导电材料层用于对屏蔽栅导电材料层之间的漂移区进行耗尽，以提升器件耐压。本发明能在

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116705612 A (43)申请公布日 2023.09.05 (21)申请号 202310512912.6 (22)申请日 2023.05.09 (71)申请人 上海华虹宏力半导体制造有限公司 地

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