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2023-09-07 发布于四川
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半导体器件.pdf

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本发明提供了一种半导体器件，衬底具有存储单元区、外围电路区以及位于存储单元区及外围电路区之间的交界区；多条位线位于衬底上且沿第一方向间隔排布，并从存储单元区沿第二方向延伸至交界区内；多条虚拟线位于交界区的衬底上，一条虚拟线与一条位线的端部对接且沿第二方向对齐，每条虚拟线包括依次堆叠于衬底上的第一绝缘层和第二绝缘层。本发明中，第一绝缘层底部的横向宽度大于顶部的横向宽度，通过增加虚拟线底部的宽度增强虚拟线的强度，防止虚拟线由于高度和宽度之比较大发生倒伏，提高了器件的性能和稳定性；并且，由于只增加了虚

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116709771 A (43)申请公布日 2023.09.05 (21)申请号 202310776613.3 (22)申请日 2021.04.26 (62)分案原申请数据 202110455099.4