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本发明提供一种HEMT器件及其制备方法，该HEMT器件包括衬底、叠层结构、第一介电层、栅导电层、第二介电层、漏极接触孔、栅极接触孔、漏极、栅极及源极，其中，衬底中设有沟槽；叠层结构包括沟道层和势垒层且覆盖沟槽显露表面及衬底上表面；第一介电层填充沟槽并覆盖叠层结构，且其中设有栅极孔；栅导电层填充栅极孔；第二介电层覆盖第一介电层与栅导电层；漏极接触孔贯穿第二介电层且底面至少显露衬底上方的势垒层，栅极接触孔贯穿第二介电层且显露出栅导电层；漏、栅极分别填充漏、栅极接触孔；源极与衬底和沟道层电连接。本发明
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116705606 A
(43)申请公布日 2023.09.05
(21)申请号 202310786364.6
(22)申请日 2023.06.29
(71)申请人 润新微电子（大连）有限公司
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