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2023-09-07 发布于四川
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一种具有半导体层的构件半导体结构，半导体层具有正侧和背侧，在正侧上构造至少一个集成电路，在背侧上构造彼此材料锁合地连接的第一氧化物层和第二氧化物层，设置具有表面和背面的单片构造的半导体本体，半导体本体布置构造在表面和背面之间的传感器区域，传感器区域具有三维等向性霍尔传感器结构，霍尔传感器结构从掩埋的下方面延伸至上侧，在表面上构造至少三个第一高掺杂半导体接通区域，在下方面上分别构造至少三个第二高掺杂半导体接通区域，每个第一半导体接通区域借助对应的第一连接接通部连接，每个第二半导体接通区域借助对应的

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 111435701 A (43)申请公布日 2020.07.21 (21)申请号 20201