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本发明提供一种1806炉晶棒拉晶方法，属于单晶炉提拉法生长单晶技术领域，根据实际拉速曲线设置预定拉速上限曲线及预定拉速下限曲线进行晶棒拉制，以通过缩小拉速波动的幅度消除因分凝效应导致硅杂质浓度的升高，并且使得单晶生长界面平坦，没有杂质析出也没有产生杂质条纹。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 115369480 A
(43)申请公布日 2022.11.22
(21)申请号 202211168080.2
(22)申请日 2022.09.23
(71)申请人 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
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