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本发明涉及碳化硅晶体生长的衍生技术领域，具体涉及碳化硅单晶的退火装置和退火方法。退火装置包括：多孔碳材料的晶体盒，晶体盒包括第一底板、第一环形侧板和晶体盒上盖，第一底板和第一环形侧板围绕构成晶体盒腔体，晶体盒腔体为碳化硅单晶容纳部，第一环形侧板的轴向中部位置沿周向均匀设置有开孔；多孔碳材料的退火盒，退火盒包括第二底板、第二环形侧板和退火盒上盖，第二底板和第二环形侧板围绕构成退火盒腔体，退火盒腔体包括晶体盒容纳腔体和碳化硅粉料容纳腔体，碳化硅粉料容纳腔体包裹于所述晶体盒容纳腔体的四周。本发明的退火
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116695258 A
(43)申请公布日 2023.09.05
(21)申请号 202310980904.4
(22)申请日 2023.08.07
(71)申请人 苏州优晶光电科技有限公司
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