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本发明提供一种堆叠结构及其制造方法、3DNAND存储器及其制造方法，在衬底上形成底部叠层，在底部叠层中形成阻挡环，在底部叠层上方形成堆叠结构，在堆叠结构中形成沿堆叠方向贯穿堆叠结构的桥接柱，该桥接柱的底部由阻挡环环绕。在形成栅线缝隙以及栅线缝隙底部开口时，该阻挡环能够有效保护阻挡环之外的其余底部叠层不被破坏，由此在后续通过栅线缝隙去除底部叠层中的源极牺牲层过程中，能够有效保留底部叠层的其余材料层，对堆叠结构起到支撑作用，减少堆叠结构的坍塌风险，提高器件的成品率及良率。另外，可以在形成焊盘接触以
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112071851 A
(43)申请公布日 2020.12.11
(21)申请号 202010793736.4
(22)申请日 2020.08.10
(71)申请人 长江存储科技有限责任公司
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