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本发明提供一种具有应用于集成电路设备的反射部件的测温装置，其属于半导体集成电路技术领域，其包括底座，所述底座的上端表面固定连接有操作架，所述操作架的一端设置有真空抽气口，所述操作架远离真气抽气口的一端设置有晶圆传输口，所述操作架的上端设置有加热灯壳体，所述操作架的内部设置有反射板。本发明解决了半导体晶圆制造过程中需要对晶圆进行快速热处理，而晶圆的实际发射率可以通过两个接收一次辐射和多次反射辐射的红外测温计接收的辐射信号计算测得，但晶圆的实际发射率往往较低，而介质膜虽然可以实现较高反射率，但带宽较
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116698197 A
(43)申请公布日 2023.09.05
(21)申请号 202310978853.1
(22)申请日 2023.08.04
(71)申请人 盛吉盛半导体科技（北京）有限公司
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