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本发明涉及一种集成CMOS器件结构及制作方法，该结构包括：第一器件、第二器件、电学隔离层、第一连接金属和第二连接金属；电学隔离层覆盖第一器件的源极、漏极和栅极的表面；第二器件倒装键合在电学隔离层上；第一连接金属贯穿电学隔离层以将第一器件的栅极和第二器件的栅极连接；第二连接金属贯穿电学隔离层以将第一器件的漏极和第二器件的漏极连接；第一器件的源极从第一器件的衬底侧通过金属电极引出；第二器件的源极、漏极和栅极均从第二器件的衬底侧通过金属电极引出；第二器件的源极用于连接电源端，栅极用于作为输入端，漏极用
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116705798 A
(43)申请公布日 2023.09.05
(21)申请号 202310766136.2
(22)申请日 2023.06.27
(71)申请人 西安电子科技大学
地址 7100
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