一种新型纵向埋栅结构的可控硅类TVS及其制备方法.pdfVIP

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2023-09-07 发布于四川
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一种新型纵向埋栅结构的可控硅类TVS及其制备方法.pdf

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本发明公开了一种新型纵向埋栅结构的可控硅类TVS及其制备方法。该TVS包括半导体衬底、硅基外延一、硅基外延二、阱区一、阱区二、阱区三、阱区四、接触注入一、接触注入二、接触注入三、接触注入四、接触注入五、接触注入六、接触注入七、接触注入八、三个埋栅及其栅槽。本发明通过新颖的结构设计和独特的工作原理，利用电荷充放模块在泻放阶段提高可控硅中PNP晶体管基区空穴浓度，显著降低空穴注入效率，抑制PNP晶体管进入深度饱和的效果，从而有效提高纵向可控硅类TVS的维持电压；利用低电压触发模块使得本发明能在低电压

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116705793 A (43)申请公布日 2023.09.05 (21)申请号 202310756702.1 (22)申请日 2023.06.26 (71)申请人江苏庆延微电子有限公司地址 2