模拟电子技术基础第三章二极管及其基本电路.pptVIP

半导体二极管图片 当前第31页\共有63页\编于星期二\8点 3.4 二极管的基本电路及其分析方法 3.4.1 简单二极管电路的图解分析方法 二极管电路的简化模型分析方法 当前第32页\共有63页\编于星期二\8点 3.4.1 简单二极管电路的图解分析方法 二极管是一种非线性器件，因而其电路一般要采用非线性电路的分析方法，相对来说比较复杂，而图解分析法则较简单，但前提条件是已知二极管的V -I 特性曲线。 当前第33页\共有63页\编于星期二\8点 例3.4.1 电路如图所示，已知二极管的V-I特性曲线、电源VDD和电阻R，求二极管两端电压vD和流过二极管的电流iD 。 解：由电路的KVL方程，可得 即 是一条斜率为-1/R的直线，称为负载线 Q的坐标值（VD，ID）即为所求。Q点称为电路的工作点 当前第34页\共有63页\编于星期二\8点 3.4.2 二极管电路的简化模型分析方法 1.二极管V-I 特性的建模 将指数模型 分段线性化，得到二极管特性的等效模型。 （1）理想模型 （a）V-I特性 （b）代表符号 （c）正向偏置时的电路模型 （d）反向偏置时的电路模型 当前第35页\共有63页\编于星期二\8点 （2）恒压降模型 （a）V-I特性 （b）电路模型 （3）折线模型 （a）V-I特性 （b）电路模型 =0.5v vD=Vth+rDiD 当前第36页\共有63页\编于星期二\8点 （4）小信号模型 vs =0 时, Q点称为静态工作点 ，反映直流时的工作状态。 vs =Vmsin?t 时（VmVDD）, 将Q点附近小范围内的V-I 特性线性化，得到小信号模型，即以Q点为切点的一条直线。 当前第37页\共有63页\编于星期二\8点 过Q点的切线可以等效成一个微变电阻 即 根据 得Q点处的微变电导 常温下（T=300K） 则 （a）V-I特性 （b）电路模型 特别注意： 小信号模型中的微变电阻rd与静态工作点Q有关。 该模型用于二极管处于正向偏置条件下，且vDVT 。 当前第38页\共有63页\编于星期二\8点 2．模型分析法应用举例 （1）整流电路 （a）电路图 （b）vs和vO的波形 当前第39页\共有63页\编于星期二\8点 当前第40页\共有63页\编于星期二\8点 （2）静态工作情况分析 理想模型 （R=10k?） 当VDD=10V 时， 恒压模型 （硅二极管典型值） 折线模型 （硅二极管典型值） 设 当VDD=1V 时,分析方法同上 （a）简单二极管电路 （b）习惯画法 当前第41页\共有63页\编于星期二\8点 （3）限幅电路 电路如图，R = 1kΩ，VREF = 3V，二极管为硅二极管。分别用理想模型和恒压降模型求解，当vI = 6sin?t V时，绘出相应的输出电压vO的波形。 当前第42页\共有63页\编于星期二\8点 双向 限幅电路 当前第43页\共有63页\编于星期二\8点 例： 电路如图，二极管为硅二极管，VD=0.7V， vs = Vm sin?t V，且Vm VD ，绘出相应的输出电压vO的波形。 vs的负半周，D导通，C充电，但无放电回路，最后（稳态） VC = Vm - VD = Vm– 0.7V （Vm是振幅值） 此后输出电压为 vO = vs +VC = vs +Vm - 0.7V 将输入波形的底部钳位在了-0.7V的直流电平上。 若颠倒二极管的方向，vO的波形将怎样变化？ 当前第44页\共有63页\编于星期二\8点 在开关电路中，判断二极管是导通的还是截止的方法如下： ??????? 对于单只二极管而言，首先将二极管断开，进行计算VP、VN的电压值，若VP＞VN，则二极管是导通的；若VP＜VN，则二极管是截止的。 ????? 对于并联二极管而言，首先将二极管断开，分别进行计算VPi、VNi的电压值，max(VPi、VNi)并且大于0，则正向电压值大的二极管先导通，余下的被钳位。 导通管的压降看做常值（硅0.7V，锗0.2V）或0V（理想二极管）；截止管所在支路看做断开，电路中所有二极管判明后，进一步计算所要求的各物理量。 （4）开关电路 当前第45页\共有63页\编于星期二\8点 3.1 半导体的基本知识 半导体材料 半导体的共价键结构 本征半导体、空穴及其导电作用 杂质半导体 当前第1页\共有63页\编于星期二\8点 3.1.1 半导体材料 根据物体导电能力(电阻率)的不同，来划分导体、绝缘体和半导体。 典型的半导体有硅Si和锗G