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图9-14给出被测气体接触N型半导体时,敏感元件阻值变化的情况。测量时,敏感元件要预先加热达到初始稳定状态,在大气中由于吸附氧气量固定不变,其电阻值保持一定。在移入被测气体后,元件表面吸附被测气体,而发生相应的电阻值变化,可输出与气体浓度相对应的电信号。测试完毕后,元件再至于普通的大气环境中,其阻值将会复原。 气敏传感器一般由气敏元件、加热器和封装体等部分组成。加热器的作用是将附着在敏感元件表面上的尘埃、油雾等烧掉,加速气体的吸附,提高其灵敏度和响应速度。加热器温度一般控制在200~400左右。 当前第63页\共有102页\编于星期二\14点 当前第64页\共有102页\编于星期二\14点 气敏元件从结构形式来分有烧结性、薄膜型和厚膜型三类。图9-15给出几类半导体气敏元件的典型结构。 图9-15(a)为烧结型气敏元件,这类器件以 SnO2半导体材料为基体,将铂电极和加热丝埋入 SnO2 材料中,加压、加温烧结成形。 图9-15(b)为薄膜型器件。采用蒸发或溅射工艺,在石英基片上形成氧化物半导体薄膜,其厚度1μm在以下。实验证明SnO2 半导体薄膜的气敏特性为物理性附着,器件间的性能差异较大。 图9-15(c)为厚膜器件。这种器件是将SnO2或ZnO等材料与3%~5%(重量)的硅凝胶混合制成厚膜胶,将其与装有铂电极的氧化物基片组合烧结制成。这种器件离散性小,机械强度高,适合大批量生产,是一种有前途的器件。 当前第65页\共有102页\编于星期二\14点 当前第66页\共有102页\编于星期二\14点 在气敏材料中添加铂(Pt)或钯(Pd)等作为催化剂,可以提高气敏元件的灵敏度以及对气体的选择性。添加剂的成分和含量,元件制作时的烧结温度,以及测量时的工作温度都将影响元件的选择性。 图9-16所示为 气敏元件对各种气体的灵敏度 气敏元件添加不同催 特性。图9-17给出 化剂后,对各种气体的灵敏度特性。 当前第67页\共有102页\编于星期二\14点 当前第68页\共有102页\编于星期二\14点 当前第69页\共有102页\编于星期二\14点 非电阻型半导体气敏传感器 非电阻型气敏传感器是利用MOS二极管的电容-电压特性变化和MOS场效应管(MOSFET)的阀值电压的变化等性质制成。采用特定的材料可以使器件对某气体敏感。如图9-18所示的MOS场效应管,其栅极材料采用对氢有很强吸附性的金属钯(Pd),就构成了对氢敏感的Pd-MOS场效应管。 当前第70页\共有102页\编于星期二\14点 当前第71页\共有102页\编于星期二\14点 MOSFET的漏极电流ID 由栅压控制,若将栅极与漏极短路,在源极与漏极之间加电压VDS ,则ID可由下式表示: (9-8) 式中β为常数,只与MOSFET的结构有关 VT为阈值电压。 当前第72页\共有102页\编于星期二\14点 气室有两个,红外光先射入一个参比气室,它是作为滤波气室,室内封闭着与被测气体有重叠吸收峰的干扰成分;工作气室即测量气室则有被测气体连续地流过。由光源发出的红外辐射光在切光盘转动时被调制,形成了交替变化的双光路,使两种波长的红外光线轮流地通过参比气室和测量气室,半导体锑化铟光监测器接受红外辐射并转换出与两种红外光强度相对应的参比信号与测量信号。 当前第31页\共有102页\编于星期二\14点 当测量气室中不存在被测组分时,光检测器接收到的是未被吸收的红外光,测量信号与参比信号相等,二者之差为零。当测量气室中存在测量组分时,测量光束的能量被吸收,光检测器接收到的测量信号将小于参比信号,二者的差值与被测组分的浓度成正比。 这种仪表采用时间双光路系统具有更高的选择性和稳定性,还具有结构简单、体积小、耐振、可靠性高和对样气的预处理要求低等优点,如果加入温度补偿,可以进一步提高仪表精度。 当前第32页\共有102页\编于星期二\14点 氧化锆分析器属于电化学分析方法,这种分析器的优点是灵敏度高、稳定性好、响应快、测量范围宽(从 到百分含量),而且不需要复杂的采样和预处理系统,它的探头可以直接插入烟道中连续地分析烟气中的氧含量。 三 氧化锆氧分析器 当前第33页\共有102页\编于星期二\14点 氧化锆分析器的基本工作原理基于氧浓差电池。氧化锆( )是一种陶瓷固体电解质,
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