一种反向稳压LED芯片.pdfVIP

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  • 2023-09-11 发布于四川
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本实用新型公开了一种反向稳压LED芯片,其包括:衬底、外延层、第一刻蚀道、第一发光结构和至少一个第二发光结构;所述外延层设于所述衬底上,并通过刻蚀至所述衬底的第一刻蚀道分为第一区域与第二区域;所述第一发光结构设于所述第一区域;所述第二发光结构设于所述第二区域;所述第一发光结构和第二发光结构相互串联;且所述第一发光结构和第二发光结构电流传输方向相反。本实用新型通过将多个第二发光结构相互串联,可将反向击穿电压提高至3nV(其中,n为第二发光结构的个数),大幅提升了有反向电流存在时,LED芯片的安全

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 210379100 U (45)授权公告日 2020.04.21 (21)申请号 20192

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