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在x+?x处,流密度为Sp(x+?x) 在1秒钟内,在1??x体积内的非子数为: Sp(x)-Sp(x+?x) 单位时间、单位体积中积累的非子为: 由表面注入的空穴,不断向内部扩散中,不断复合 而消失。在恒定的光照射下,表面非子浓度恒定。 称为 恒定扩散 2、稳态扩散方程 当前第94页\共有140页\编于星期三\9点 单位时间单位体积被复合掉的非子为 : 单位时间单位体 积积累的非子数 当: 上式为 当前第95页\共有140页\编于星期三\9点 在稳态时,积累的载流子应等于复合掉的载流子 通解为: 其中: ? 稳态扩散方程 当前第96页\共有140页\编于星期三\9点 3.典型样品的分析 (1) 足够厚的样品 WLp W>>Lp x hν 为解的形式,指数衰减 当前第97页\共有140页\编于星期三\9点 x △p 0 Lp 当前第98页\共有140页\编于星期三\9点 (2) p型材料 Ec Ev EF E t po p1 n1 当EF 比Et 更接近于EV “强p型区” 有: 复合中心对少子的俘获决定寿命,是因为 复合中心基本被多子空穴所占据. 当前第62页\共有140页\编于星期三\9点 同样,类似有“高阻区”,EF 在Ei和Et之间 多子 (3) 大注入: 式5-36 和载流子 浓度无关 当前第63页\共有140页\编于星期三\9点 (4) 有效复合中心 位于禁带中央附近的深能级是最有效的复合中 心,如,Cu、Fe、Au 等杂质在Si中形成的深 能级,是有效的复合中心。 (5-35) 当前第64页\共有140页\编于星期三\9点 若: 同样: 一般情况都满足 当前第65页\共有140页\编于星期三\9点 当前第66页\共有140页\编于星期三\9点 当 U 趋向于极大,表明位于禁带中央附近的深能级 是最有效的复合中心。相反的,浅能级,即远离 禁带中央能级的能级,不能起到有效的复合中心 的作用。 当前第67页\共有140页\编于星期三\9点 5、俘获截面 载流子热运动速 度大,碰上复合 中心而被俘获的 概率就大 当前第68页\共有140页\编于星期三\9点 在复合率U的公式中,可用俘获截面来替代 rn和rp 实验证明了,掺杂Ge中,Mn, Fe, Co, Au, Cu, Ni 等可以形成复合中心;在Si中,Au, Cu, Fe, Mn, In等可以形成复合中心。一般,复合中心的俘获 截面为10-13~10-17cm2 Eg: Au 在Si中掺杂,引入深能级是双能级: EtA 在导带以下0.54eV的受主能级 EtD 在价带以上 0.35eV的施主能级 AU- AU+ 在n –Si中, AU- 在p –Si中, AU+ (式5-46) 当前第69页\共有140页\编于星期三\9点 四、表面复合 1.表面复合率us 表面电子能级: 表面吸附的杂质或其它 损伤形成的缺陷态,它 们在表面处的禁带中形 成电子能级。 us:单位时间流过单位表面积的非平衡载流子,单位:个/s·cm2 表面能级 表面有促进载流子复合的作 用,表面复合也是一种间接 复合形式 当前第70页\共有140页\编于星期三\9点 :为样品表面处单位体积的载流子数(表面处的非子浓度1/cm3) 个/cm3 cm/s 个/s cm2 S比例系数,表征表面复合的强弱,具有速度的量纲,称为表面复合速度。 当前第71页\共有140页\编于星期三\9点 2.影响表面复合的因素及寿命表示式 (1) 表面粗糙度 (2) 表面积与总体积的比例 (3) 与表面的清洁度、化学气氛有关 在考虑表面复合后,总的复合几率为: 当前第72页\共有140页\编于星期三\9点 §5.5 陷 阱 效 应 在非平衡时,一部分附加产生的电子⊿nt(或空穴⊿pt )落入Et中,起这种作用的杂质或缺陷能级Et就叫 陷阱。 一、陷阱: Ec Et Ev 所有的杂质能级 都有积累非子的 作用,即陷阱效 应。但当积累的 非子和导带、价 带中的非子相当 时,才是显著的 当前第73页\共有140页\编于星期三\9点 对于 的杂质, 电子的俘获能力远大于俘获空穴的能力, 称为电子陷阱。 ● ● 对于 的杂质, 俘获空穴的能力远大于俘获电子的能力, 称为空穴陷阱。 相应的杂质和缺陷为陷阱中心 当前第74页\共有140页\编于星期三\9点 二、陷阱效应的分析 1.陷阱效应中的载流子浓度 根据间接复合理论,稳态时杂质能级上的电子数即陷阱上的电子浓度nt为: 以复合中心理论为根据,定性讨论陷阱效应 (式5-
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