pn结低温曲线图.docx

PAGE PAGE 1 pn结的低温测量：(a)不同温度条件下测量的输出曲线。(b) 理想因子随器件温度的变化。(c) 和(d) 肖特基势垒高度与所施加的 Ni-WS 2 和 Gr/Ni -WS 2 接触栅极偏压的函数关系。红色箭头代表平带条件下的真实肖特基势垒高度值。插图显示了它们在平带条件下各自的能带图。(e)混合Gr/Ni接触和Ni接触WS 2 器件之间的比较条形图，这里蓝色虚线基准线代表Ni接触WS 2 器件特性。 WS 2 pn 结的光响应：(a) 无光照（暗）以及 850 nm 和 532 nm 波长光照的电流。(b) 电流放大图，其中 I sc 是短路电流，V oc 是开路电压。(c)各种WS 2 和MoS 2 基器件的整流比和VOC 的比较。数据点收集自参考文献 8、15、18、48-51。(d) WS 2 和MoS 2 基器件的光响应性与光波长的关系的比较。数据集是从文献中收集的。44,46,47-50,52-55,56,57,58 WS 2设备参数对照表 二极管特性：(a) Ni 和 Gr/Ni 接触 WS 2 器件的双极输运，在 VD = 1 V 时具有主导 p 支路。(b) WS 2 二极管在不同选通条件下的不对称输出曲线，具有 20 V VG 阶跃。插图表示给定 VG 值下的对数标度输出曲线。(c)正向偏置条件下WS 2 pn结的能带图。(d) VD = ±1.5 时的理想因子和整流比作为 VG 的函数。颜色代码代表VG 的值，如图4(b)所示。 Ni掺杂石墨烯：(a)-(c)镍薄膜沉积前后石墨烯的拉曼光谱，其中(b)和(c)是2D和G模式的放大图。(d) 石墨烯电阻率与选通函数的关系，显示了 Ni 掺杂后 CNP 的变化。(e) 石墨烯掺杂镍的示意图。红色箭头表示根据拉曼光谱和电学结果将石墨烯的功函数从 4.56 eV 调制到 4.7 eV。 器件结构和电气特性：(a) 和 (b) 是具有 Ni 和混合 Gr/Ni 接触的 WS 2 背栅器件的示意图和光学显微图像。Ni 接触器件的沟道长度和宽度分别为 2.5 μm 和 9 μm，Gr/Ni 接触器件的沟道长度和宽度分别为 1.8 μm 和 9 μm。请注意，石墨烯放置在镍触点下方以实现混合触点。(c) 和(d) 是Ni 接触WS 2 器件在给定电压点的传输和输出曲线。插图显示了 Ni 接触 WS 2 器件的能带图。类似地，(e) 和(f) 是从Gr/Ni 接触WS 2 器件获得的传输和输出曲线。插图显示了混合 Gr/Ni 接触 WS 2 器件的能带图。