国开光伏电池原理与工艺形考任务4试题及答案.docx

国开电大光伏电池原理与工艺第4次形考任务答案 题目为随机，用查找功能（Ctrl+F）搜索题目 单项选择题 题目：（）接触能形成整流特性接触和良好的欧姆接触。答案：金属与半导体 题目：1973年GaAs三层结构异质结太阳电池，实验室效率达到（），超过了硅太阳电池。答案：22% 题目：半导体硅中，n+/p型硅太阳电池通常用（）为掺杂元素。答案：硼 题目：单晶硅的生产工艺在太阳电池领域主要应用的是（）。答案：直拉法 题目：非晶硅太阳电池的哪一方面限制了非晶硅太阳电池的应用（）。答案：光致衰减效应 题目：硅太阳电池地面应用倾向于采用电阻率为()的材料，以获得高的转换效率。答案：零点几至2Ω·cm 题目