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本发明涉及一种嵌入式非易失性存储器读写方法,所述方法包括:步骤S1:处理器接收访问指令并放入访问指令缓冲队列中;缓冲并调整访问指令的顺序并发送首个访问指令;步骤S2:读写控制模块获取访问指令的控制方式;基于实时的访问条件调整所述控制方式以得到副本控制方式;步骤3:先用控制方式执行访问指令以得到第一数据,紧接着用副本控制方式执行副本访问指令以得到第二数据;基于第一数据和第二数据获取访问指令的访问结果;本发明基于现有的非易失性存储器结构,充分利用其嵌入式特性和已有错误校正技术,通过提供准确冗余,在不
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116737086 A
(43)申请公布日 2023.09.12
(21)申请号 202311014578.8
(22)申请日 2023.08.14
(71)申请人 苏州云途半导体有限公司
地址 2
原创力文档


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