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场效应管放大电路 场效应管：输入电阻高，稳定性好 结型场效应管(JFET)绝缘栅型场效应管(IGFET)一、绝缘栅型场效应管（MOS管）1、 N沟道增强型绝缘栅型场效应管GDSDGP型硅衬底S(1) 结构及原理以P型硅为衬底，在其表面上覆盖一层SiO2 作绝缘层，再在该层上刻出两个窗口，形成两个高掺杂的N型区（用N+表示）在两个N型区上分别引出源极S和漏极D，同时在D与S之间的SiO2 表面制作一个金属电极——栅极GGDSIDP型硅衬底NDSNDPGS显而易见，D、S之间形成了一个背靠背的PN结当 UGS =0时，无论加上什么样的UDS ，D、S之间总有一个PN结反偏，因此 ID=0N沟道 GDSP型硅衬底耗尽层 ___当 UDS =0， UGS 0 时，栅极的金属板与P型硅衬底之间形成了一平板电容器。由于绝缘层（ SiO2）很薄，很小的UGS 就能产生很强的电场（方向垂直向下），该电场吸引P型硅衬底中的电子（少子）到表层，与空穴复合形成由负离子组成的耗尽层 N沟道 GDSP型硅衬底耗尽层 ___如果增强UGS 即增强电场，由于吸引了更多的电子，在耗尽层与SiO2之间形成一个N型层——反型层该反型层即为沟通源区与漏区的N型导电沟道。N沟道 GDSP型硅衬底耗尽层 ___把开始形成导电沟道时所需的UGS 称为开启电压UGS （th)SDGP型硅衬底N沟道 导电沟道形成后，加上一