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本发明属于电气元件领域，特别是涉及一种沟槽型半导体器件及其制造方法。沟槽型半导体器件包括半导体基板、漏电极区、栅电极区、源电极区和绝缘栅介质层；所述半导体基板开设有沟槽，所述栅电极区位于沟槽中，所述绝缘栅介质层位于所述栅电极区与所述半导体基板之间；所述沟槽的一侧形成有栅氧保护区和第一源极区，所述第一源极区由沟槽的一侧的外壁延伸至所述沟槽的底部，所述栅氧保护区延伸至沟槽的底部，所述栅氧保护区与沟槽底部接触位置形成连通第一源极区与半导体基板的第一沟道，栅氧保护区与沟槽底部接触的位置形成所述第一沟道，
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114122122 A
(43)申请公布日 2022.03.01
(21)申请号 202010870367.4
(22)申请日 2020.08.26
(71)申请人 比亚迪半导体股份有限公司
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