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- 2023-09-14 发布于四川
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一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：在第一凹槽中形成第一内侧墙；在形成第一内侧墙后，刻蚀初始沟道叠层和初始鳍部，且剩余初始鳍部作为鳍部，位于鳍部上的剩余初始沟道叠层用于构成沟道叠层，沟道叠层包括复合层和位于复合层上的沟道层；复合层包括第一内侧墙以及位于第一内侧墙侧壁上的牺牲层；形成鳍部后，形成横跨沟道叠层的伪栅结构；在伪栅结构两侧的沟道叠层中形成源漏掺杂层；形成源漏掺杂层后，去除伪栅结构和牺牲层，在伪栅结构和牺牲层的位置处形成金属栅极结构。第一内侧墙为沟道层提供支撑，因此即使沟道层较长，沟
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 111490092 A
(43)申请公布日
2020.08.04
(21)申请号 20191
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