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- 2023-09-14 发布于四川
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存储器器件包括晶片上的半导体器件。该半导体器件包括栅极结构、第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域。栅极结构在晶片的第一面上。第一源极/漏极区域也在晶片的第一面上，并且与栅极结构的第一端接触。第二源极/漏极区域在晶片的第二面上并延伸到第一面中以与栅极结构的第二端接触。该存储装置还包括在晶片的第二面上的存储器存储元件。存储器存储元件与第二源极/漏极区域接触。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 110892531 A
(43)申请公布日
2020.03.17
(21)申请号 20188
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