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石墨烯的生长制备以及性质研究的中期报告 1. 石墨烯生长制备方法： ① 化学气相沉积法（CVD）：将石墨片或金属衬底放入炉管中，在高温下通入甲烷等气体，生长单层石墨烯。 ② 机械剥离法：利用胶带或其他粘性材料贴附到石墨上进行撕拉，可在石墨表面裂口处得到单层石墨烯。 ③ 液相剥离法：将石墨通入溶液中，利用超声波等方式将其剥离得到单层石墨烯。 2. 石墨烯的主要性质： ① 电学性质：石墨烯具有极高的电导率，是铜的约200倍；也具有一定的半导体性质。 ② 光学性质：石墨烯具有很高的透光性，适用于太阳能电池等领域。 ③ 机械性质：石墨烯的单位面积质量非常轻，同时具有极高的强度和韧性。 ④ 热学性质：石墨烯的热导率非常高，是铜的约10倍。 3. 石墨烯的应用： ① 电子器件：如晶体管、场效应器件等。 ② 光电器件：如太阳能电池、显示器件等。 ③ 传感器：如气体传感器、压力传感器等。 ④ 生物医学：如癌症诊断等。 ⑤ 功能材料：如催化剂、电催化剂等。 4. 研究展望： 石墨烯技术的应用前景广阔，需要在其生长制备的方法、性质探究以及应用领域等方面持续深入研究。未来可能朝向石墨烯复合材料、量子计算等方面拓展。