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一种用于晶体抛光的多孔阻尼布及其制备工艺.pdfVIP

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  • 2023-09-14 发布于四川
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一种用于晶体抛光的多孔阻尼布及其制备工艺.pdf

    本发明公开了一种用于晶体抛光的多孔阻尼布及其制备工艺，属于晶体抛光技术领域，包括阻尼布面层、热熔胶粘接层和阻尼布基层，所述阻尼布面层的底部设置有热熔胶粘接层，所述热熔胶粘接层的底部设置有阻尼布基层，所述阻尼布面层上设置有均匀分布的抛光微孔，抛光微孔的直径为30‑38μm。为了解决硬度和耐磨性差且使用寿命低下的问题，本发明的用于晶体抛光的多孔阻尼布及其制备工艺，采用环氧树脂、聚四氟乙烯、石墨、Cr、分散剂和催化剂制备阻尼布面层，且将阻尼布面层、热熔胶粘接层和阻尼布基层热压制得多孔阻尼布，采用该种方

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115008852 A (43)申请公布日 2022.09.06 (21)申请号 202210554778.1 B32B 27/06 (2006.01)

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