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半导体结构及其形成方法.pdfVIP

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  • 2023-09-14 发布于四川
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半导体结构及其形成方法.pdf

    一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：形成基底，包括衬底、凸出于衬底的鳍部以及横跨鳍部的栅极结构，栅极结构覆盖鳍部的部分顶部和部分侧壁；在栅极结构露出的鳍部侧面形成侧壁层；去除部分厚度的鳍部，形成由侧壁层和剩余鳍部围成的开口；在开口内形成底部源漏掺杂层；去除部分高度的侧壁层；形成顶部源漏掺杂层，覆盖剩余侧壁层露出的底部源漏掺杂层顶部和侧壁，顶部源漏掺杂层和底部源漏掺杂层构成源漏掺杂层，顶部与底部源漏掺杂层的掺杂离子类型相同，且顶部源漏掺杂层中离子掺杂浓度大于底部源漏掺杂层中离子掺杂浓度。本发

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