【材料课件】第一章微电子技术中图形加工的方法.pptxVIP

第一章 微电子技术中图形加工的一般方法;第一节 制造微细图形的要求;;第二节 外 延 ;硅气相外延生长系统 ;图2—2(b)表示外延膜的生长速率与气体中SiCl4 浓度的关系。浓度定义为SiCl4 分子数与气体总分子数之比。由图可见，生长速率达到最大值后，随着SiCl4的浓度增加而减少。这一现象是化学反应引起的，即SiCl4 十Si(固)→2SiCl2；因此，当SiCl4 浓度较高时就可能发生硅的刻蚀。 在流动气体中引入杂质原子可生长掺杂的外延层，n型掺杂使用PH3(磷烷)，F型掺杂使用B2H3(乙硼烷)。 ;四种不同外延层液相(LPE)生长装置;分子束外延;MBE的一个显著特点是生长速率低，大约为1μm／h或单分子层／s，因此基片上的分子束流可以容易地用单分子层的数量调节。光栏的操作速度小于1s。在外延生长技术中，分子束外延使微细加工在结构清晰度方面，几乎提高了两个数量级。 MBE一直被用来制备各种GaAs和AlxGa1-xAs器件薄膜和膜层结构，如电容电压可急剧变化的高可控的变容二极管、碰撞雪崩渡越时间二极管、微波混合二极管、肖特基层场效应晶体管、光波导、集成光学结构等；对微波、光学固体器件及亚微米层结构电路等固体电子学，MBE具有最大的影响，其工艺对平面和集成工艺也有十分重要的意义。 ;第三节 氧 化;热氧化过程;第四节 光 刻;微细结构加工所使用的光刻类型 ;光学光刻是微电子工业中最重要的技术，通常用于2～3μm线宽的制造。 电子束光刻主要用于掩模制造。对于高密度的微电子结构，电子背散射使它的实际线宽下限限制在0．5μm左右。 X射线光刻所加工的线宽接近百分之几微米的量级，但需要一个复杂的吸收掩模和薄膜支撑结构。 离子束光刻提供了图形的掺杂能力，并具有很高的分辨率(0．01μm以下)。 ;掩模制造 ; 一、制版工艺 ;接触曝光; 二、投影复制;三、电子束光刻;电子束光刻系统方框图;四、X射线光刻;图2—12和图2—13为制造微米表面图形所用的工艺和光刻后单层及层状基片的掺杂工艺。曝光后，显影除去的或是曝光区(正性胶)或是非曝光区(负性胶)。因此，在基片表面上留下了明显的光刻胶图形。在光刻胶上形成凹凸结构后，用下述方法之一加工基???：在基片上刻蚀图形；生长材料；掺杂；通过光刻胶图形的开口位置沉积材料。由于X射线波长在10-3μm的数量级，因此衍射效应通常可以忽略。 ;第五节 刻 蚀;一、化学刻蚀;二、各向异性刻蚀;各向异性刻蚀工艺与各向异性刻蚀液(专用于刻蚀硅的溶液，由乙烯二胺、邻苯二酚及水组成，典型的组成是17mL乙烯二胺、3g邻苯二酚及8mL水，它可阻止对重掺杂p+硅的刻蚀)结合，可以制造薄膜型小圆孔，如图2—15所示。当杂质浓度NA达到1019／cm3时，专用液中的硅急剧下降；当NA＞7×1019／cm3时，刻蚀速率达到零。在专用液中刻蚀重掺杂p+表面层的硅基片时，末掺杂的硅被除去p+膜被留下，其厚度等于表面层的深度，而杂质浓度NA＞7×1019／cm3。这一特性已被用于制造膜厚在1—10um之间的不同结构的器件。;第六节 掺 杂;;一、扩散;替位式扩散和间隙式扩散;替位式扩散。杂质原子通过从一个格点位置跳到下一个格点位置，替代了原来的晶格原子而达到在晶格中移动。为此，要求相邻的位置必须是空的，也就是说，要产生替位式扩散必须有空位。由于空位的平衡浓度相当低，故可认为替位式扩散比间隙式扩散慢得多。实际情况确实如此。 间隙式扩散。处于晶格原子之间空位的杂质原于称为间隙原子，杂质原子由一个间隙位置跳到下一个间隙位置而在晶格中移动，它们既可以从格点位置开始移动， 也可以从间隙位置开始移动，最终可停在两种位置中的一种位置上。间隙式扩散要求杂质从一个间隙位置跳到相邻的另一个间隙位置，而且杂质原子只有处于间隙位置时才能以显著的速率在晶体中移动。 ;二、离子注入;离子注入的优点及其问题;三、中子嬗变掺杂技术(NTD);中子嬗变掺杂最显著的优点是均匀性很好(可达土2％)，它不但可以使高阻的悬浮区熔硅晶锭变成浓度分布十分均匀的n型(也可以实现p型)材料，而且可以获得非常均匀的外延层；其次是易于正确地监控所引进的裁流子数目(准确度为士5％)。由于通过核反应加工而引进了辐射损伤，所以还必须进行适当的退火(一般用500—900°C退火)，以便恢复其晶格和电阻率。 ? ;第七节 连线材料和工艺;一、金属布线工艺及金属膜的特性;二、铝及其他金属布线工艺;虽然金具有高的导电性、抗腐蚀性和抗电迁移性，因而成为金属化有吸引力的材料，但它对S102的粘附性差，且由于金与硅可形成共熔体，故金的使用导致了其后续工序的温度受到限制(330℃)，因而影响了它的应用。然而，金作为过渡层，与其他薄膜一起