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本申请公开了一种获取晶圆边缘的导通电阻的方法,涉及半导体制造领域。该方法包括利用若干个样本晶圆,建立导通电阻漂移值与偏移距离的拟合函数模型,偏移距离是晶圆边缘与测量夹具的中心区域内预定位置之间的距离;获取待测试晶圆边缘的导通电阻,记为初始导通电阻;获取待测试晶圆边缘对应的偏移距离;将待测试晶圆边缘对应的偏移距离带入拟合函数模型,得到待测试晶圆的导通电阻漂移值;根据初始导通电阻和导通电阻漂移值,得到待测试晶圆边缘的导通电阻校正值;解决了目前由于测量夹具本身特性,容易令测得的晶圆边缘的导通电阻偏大的
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112051450 A
(43)申请公布日 2020.12.08
(21)申请号 202010892501.0
(22)申请日 2020.08.31
(71)申请人 华虹半导体(无锡)有限公司
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