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高频变压器分布电容的分类 分布参数的影响 单端反冲电源结构简单，压宽，输出隔离，易实现多个输出，特别适用于电动汽车的辅助电源。高频变压器作为单端反激电源的核心部件, 直接影响着系统的整机性能。目前单端反激电源呈现出小型化、高频率、高功率密度的发展趋势, 这对高频变压器设计中分布参数的影响尤为突出。分布参数主要指漏感和分布电容, 高频变压器开关管关断过程中漏感产生的电压尖峰和电磁干扰, 给系统造成安全隐患, 以往在设计高频变压器时只重视漏感, 而忽视了分布电容的影响。 在驱动信号由高变低过程中, 高频变压器分布电容与漏感发生谐振, 增大变压器损耗, 产生电磁辐射, 同时引起很高的电压应力, 降低了开关管的可靠性。同时分布电容产生很高的电流尖峰, 影响电流采集精度, 严重影响开关电源工作。 为此, 文章首先对高频变压器模型进行了分析, 给出了绕组分布电容和绕组间分布电容的计算方法, 并对高频变压器不同绕法及绕组布局对分布电容的影响进行了研究, 最后进行了实验验证。 1 变压器分布电容 高频变压器模型如图1所示。 当高频变压器初次级绕组耦合系数小于1时存在漏磁场, 漏感可以间接表示漏磁场大小, Lk1表示初级绕组漏感, Lk2表示次级绕组漏感;RS1表示初级绕组电阻, RS2表示次级绕组电阻;变压器绕组通电后绕组存在电位差, 同一绕组匝与匝之间、同一绕组层与层之间、绕组与绕组之间形成分布电容, 为了分析方便, 将变压器同一绕组的匝间电容和层间电容统称为绕组分布电容, 用集总电容CP、CS表示, 变压器初次级绕组间电容统称为绕组间分布电容, 用Cps1、Cps2表示。Cp、CS反应了变压器初次级绕组储存电场能量的能力, Cps1、Cps2反应了变压器初次级电场的耦合能力。变压器分布电容的大小与变压器加工工艺及绕组绕制方式有关, 不同的绕制方式, 其分布电容不同, 对单端反激电源的影响不近相同。 为了保证单端反激电源工作的稳定性, 必须明确影响各分布电容的因素, 通过对各因素的控制得到满足指标要求的单端反激电源, 也就明确了分析分布电容的重要性。 2 分组分布电分析 2.1 高频变压器变换电路 绕组分布电容包括匝间电容和层间电容。以高频变压器初级绕组为例, 假设绕组均匀绕制, 匝数为N, 当直流母线电压U加在绕组两端时, 各绕组将平均分配电压, 每匝电压为U/N, 即每匝之间的电压差为U/N, 根据平板电容器原理, 在高频变压器中将会形成容值相等的匝间电容。当开关管开通关断时, 此电压差将对匝间电容进行反复的充放电, 若初级匝数少, 每匝分配的电压高, 那么这个影响就更严重。高频变压器绕组匝间电容示意图如图2所示。 鉴于匝间电容的容值相等, 忽略匝间电容与绕组连接, 将电容等效为串联, 得到匝间电容的等效电容C’, 表达式为: 式中:Ci为匝间电容, N1。 结合上式和平板电容定义式, 匝间电容等效电容与绕组匝数、绕组间距成反比, 与绕组间绝缘材料介电常数成正比。可以通过增大绕组匝数、采用介电常数低的漆包线等方式减小匝间电容。 2.2 高频变压器充放电测试 高频变压器设计时, 由于绕组匝数较多, 同一绕组可能存在两层甚至多层, 每两层之间便会出现电势差, 产生电容效应, 形成绕组层间电容。高频变压器的层间电容是影响反激电路性能的重要参数, 在开关管开通关断过程中, 层间电容容易与漏感产生谐振, 增加开关管的电压应力, 产生电磁干扰, 降低EMC特性。层间电容与两层之间的电势差大小紧密相关。 层间电容的大小与绕组的绕制方式有着密切联系, 与两层之间电势差成正比, 减小电势差即可降低层间电容, 进而提高高频变压器特性。层间电容对应变压器绕组中储存的电场能量。根据下式可近似得到绕组层间电容C1的大小: 式中:lm是绕组线圈的平均长度;d是同一绕组的层间距;h是绕组的高度;E是绕组间的电场强度;v是相邻层的电压分布;U是输入电压;ε是层间绝缘材料的介电常数。 由公式 (2) 可以看出, 电场分布积分表示的电场能量可表示高频变压器电压分布线积分。假设电压沿绕组线圈方向平均分布, 被测绕组施加电压, 其它绕组线圈开路, 得到绕组电压分布情况。当绕组为多层时, 常见的绕制方式有U型绕法、Z型绕法、分段式绕法、交叉绕法。图3~图6给出了不同绕制方式的电压分布。 由图3~图6可见, U型绕法绕制简单, 但上下层之间的电压差最大, 最高可达绕组输入电压, 相应的绕组层间电容存储的能量最大, 绕组层间电容最大, 高频变压器对单端反激电源造成的影响最大;Z型绕法相比于U型绕法绕制略微复杂, 但层间电压差减小, 层间电压差为, 层间电容也就相应减小;相比较前两种绕法, 分段式绕法的层间电势差最小, 在其他条件不变的情况下, 层间电容约为Z型绕法的二分之一, 但