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MicroLED像素化方法.pdfVIP

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  • 2023-09-16 发布于四川
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MicroLED像素化方法.pdf

    本发明提供了一种MicroLED像素化方法，包括：提供待像素化的半导体发光结构，半导体发光结构包括依次堆叠于生长衬底表面的第一半导体层、发光层及第二半导体层；通过邦定材料将半导体发光结构邦定至支撑基板表面，并去除生长衬底；根据预先配置的像素单元，在半导体发光结构表面形成相应的掩膜材料；对未覆盖掩膜材料区域的半导体发光结构进行干法刻蚀，在半导体发光结构中形成预设深度的沟槽；去除掩膜材料，并对形成有沟槽的半导体发光结构进行湿法刻蚀直至露出邦定材料，完成对半导体发光结构的像素化过程，在支撑基板表面形成

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116759497 A (43)申请公布日 2023.09.15 (21)申请号 202311006293.X (22)申请日 2023.08.11 (71)申请人 晶能光电股份有限公司 地址 33

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