一种晶圆背面工艺的防离子污染的加工方法.pdfVIP

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2023-09-16 发布于四川
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一种晶圆背面工艺的防离子污染的加工方法.pdf

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本发明涉及一种晶圆背面工艺的防离子污染的加工方法，所述方法至少包括：基于湿法工艺在晶圆背面设置至少一层防护层；在所述防护层的生长厚度达到标准范围的情况下，在所述晶圆背面进行离子注入。基于现有技术中需要通过高温条件形成防护层，导致晶圆正面的结构受到高温影响的缺陷，本发明提供新的离子注入工艺，能够在非高温的情况下设置防护层，使得通过防护层来防止离子注入的掺杂干扰的方案能够被真正应用在半导体器件的生产中。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116759296 A (43)申请公布日 2023.09.15 (21)申请号 202311038557.X (22)申请日 2023.08.17 (71)申请人成都高投芯未半导体有限公司地址