松下GE 1a1b 参数表好.pdfVIP

下载本文档

1
0
约2.63万字
约 4页
2023-09-18 发布于云南
举报
版权申诉

松下GE 1a1b 参数表好.pdf

1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

145 PhotoMOS (MOSFET输出光电耦合器) 对应RoHS 1a1b GE AQW610EH, 614EH AQW612EH 获得认证获得认证尺寸图分类与电路构成动作原理的说明术语说明使用注意事项应用电路示例标准认证一览 P.42 P.46 P.50 P.52 P.53 P.60 P.285 具备加强绝缘5,000V 1a1b型特点 ●负载电压 60V型具备低导通电阻(1Ω)、 9.78 6.4 高容量(0.5A) 3.9 9.78 6.4 ●负载电压备有60V、350V、400V 3.6 高度包括 ●耐电压 5,000V (加强绝缘) （支架尺寸） ●输出构成：1a1b 1 8 N.C. 用途 2 7 ●电源 ●测量仪器 3 6 4 5 ●安防设备 ●通信调制解调器 N.O. ●电话设备 ●电力·工厂设备 ●传感器设备品种包装数量：标准P/C板端子 : 内箱(管装包装) 50个、外箱500个