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- 2023-09-16 发布于四川
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本发明涉及半导体集成电路领域,特别涉及一种用于改善凸块互连结构的耐湿热可靠性的方法。本发明提供一种用于改善凸块互连结构的耐湿热可靠性的方法,包括以下步骤:对凸块互连结构进行表面预处理以去除其表面的污渍;将完成表面预处理的凸块互连结构进行氩气等离子体处理;将完成氩气等离子体处理的凸块互连结构进行低温等离子体处理以在所述底切结构的表面形成钝化膜,所述低温等离子体处理的温度范围为25‑300℃。本发明提供的方法能够有效地改善凸块互连结构在恶劣环境下的湿热可靠性。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116759320 A
(43)申请公布日 2023.09.15
(21)申请号 202310930216.7
(22)申请日 2023.07.27
(71)申请人 厦门大学
地址 361000
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