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- 2023-09-16 发布于四川
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本发明涉及一种发光二极管结构及其制作方法。本发明包括衬底;缓冲层、第一半导体层、正极电流阻挡层、负极电流阻挡层、第一电流扩散层、蚀刻阻挡层、第二电流扩散层A、第二电流扩散层B、第二电流扩散层C、正极焊盘、负极焊盘和绝缘钝化层;其中,第二电流扩散层A、第二电流扩散层B和第二电流扩散层C均分布有贯穿各自表面设置的坑洞区;第二电流扩散层A、第二电流扩散层B和第二电流扩散层C任一层或多层的坑洞区内或上下表面设置有金属纳米颗粒。本发明能够提高LED器件的电流扩散能力,增加载流子的注入效率,并进而提高取光效
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116759507 A
(43)申请公布日 2023.09.15
(21)申请号 202310940213.1 B82Y 40/00 (2011.01)
(22)申请日 2023.07.
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