光刻方法及衬底结构.pdfVIP

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2023-09-16 发布于四川
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光刻方法及衬底结构.pdf

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本发明涉及一种光刻方法及衬底结构，光刻方法包括：提供半导体基底；在半导体基底上形成抗反射层；在抗反射层上形成光刻胶图案层，光刻胶图案层具有多个第一开口；对抗反射层进行刻蚀，以在抗反射层上形成与第一开口一一对应连通的多个第二开口；其中，抗反射层与光刻胶图案层的刻蚀选择比大于预设值，预设值大于1；对半导体基底未被光刻胶图案层遮挡的部分进行刻蚀，以在半导体基底的上表层内形成光栅结构；其中，光栅结构具有与第二开口一一对应连通的多个透光狭缝。利用该光刻方法可有效提高光栅结构的占空比。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116755292 A (43)申请公布日 2023.09.15 (21)申请号 202310630861.7 (22)申请日 2023.05.31 (71)申请人武汉锐晶激光芯片技术有限公司地址