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本发明提供了一种套刻误差的量测方法、其装置及光刻系统。该量测方法包括：获取半导体器件中第一材料层的第一图像和第二材料层的第二图像，其中，第一材料层和第二材料层中分别具有对位标记，第一图像中具有预设图形以及与第一材料层中对位标记对应的第一图形，第二图像中具有与第二材料层中对位标记对应的第二图形；确定第一图形在第一图像中的第一目标位置；根据第一目标位置与第一图像中的第一预设位置，得到第一距离，其中，第一预设位置处具有预设图形；确定第二图形在第二图像中的第二目标位置；根据第二目标位置与第一目标位置，得
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116755300 A
(43)申请公布日 2023.09.15
(21)申请号 202311051509.4
(22)申请日 2023.08.21
(71)申请人 合肥晶合集成电路股份有限公司
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